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综述了近年来围绕SiC纳米线制备所做的一些工作。介绍了基于VLS、SLS、氧辅助生长机制和利用模板等制备SiC纳米线的一些方法，并就纳米线的性能和应用研究给出了今后SiC纳米线可控制生长应开展的研究工作，对SiC纳米线的制备研究工作进行了展望。
SiC纳米线的制备研究现状与展望
【摘 要】
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综述了近年来围绕SiC纳米线制备所做的一些工作。介绍了基于VLS、SLS、氧辅助生长机制和利用模板等制备SiC纳米线的一些方法，并就纳米线的性能和应用研究给出了今后SiC纳米线
【机 构】
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天津理工大学材料物理研究所,天津理工大学材料科学与工程学院
【出 处】
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材料导报
【发表日期】
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2005年F05期
【基金项目】
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国家自然科学基金（批准号：60476003）,天津市自然科学基金（批准号：0238016-11）资助项日
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