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In0.49Ga0.51P中缺陷的俘获行为
In0.49Ga0.51P中缺陷的俘获行为
来源 :发光学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:mimidong
【摘 要】
:
利用深能级瞬态谱和瞬态光电阻率谱研究了利用金属有机物化学汽相沉淀生长的未有意掺杂的In0.49Ga0.51P中缺陷对载流子的俘获过程和发射过程。
【作 者】
:
王海龙
封松林
【机 构】
:
中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室,曲阜师范大学物理系
【出 处】
:
发光学报
【发表日期】
:
1999年1期
【关键词】
:
深能级瞬态谱
俘获势垒
铟镓磷
半导体
缺陷
deep level transient spectroscopy (DLTS)
transient photo
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利用深能级瞬态谱和瞬态光电阻率谱研究了利用金属有机物化学汽相沉淀生长的未有意掺杂的In0.49Ga0.51P中缺陷对载流子的俘获过程和发射过程。
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