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为得到GaN HEMT器件的小信号等效电路，在传统的GaAs HEMT小信号模型的基础上引入了反应栅漏电流的反馈电阻RIgs，RIgd，并在此基础上引入分布式设计对小信号等效电路模型进一步改进，建立了19元件（20参数）的小信号等效电路拓扑结构．根据此模型提供了一套稳定的直接提参方法，结果表明新的模型系统具有简单、适应频率、偏压范围广、稳定性好和精度高等特点．相比于传统的集总模型能适应更高的频率范围，对器件品质和测量环境要求不高，有更强的稳定性．