GaAs-Ga_(1-x)Al_xAs双异质结激光器的液相外延

来源 :清华大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户:liuyantong7
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介绍我们采用的多次液相外延实验装置,讨论影响薄层液相外延生长的因素。采用 “正交设计”的数学方法安排外延试验,找到多层连续均匀生长的条件.使GaAs- Ga1-xAlxAs双异质结激光器阈值电流密度达到 1000—2000安培/平方厘米。 Introduce the multiple liquid phase epitaxy experiment equipment we used to discuss the factors that affect the thin-layer liquid-phase epitaxial growth. Using “orthogonal design” mathematical methods to arrange the epitaxial test, to find the conditions for continuous and uniform growth of multiple layers. GaAs-Ga1-xAlxAs double heterostructure laser threshold current density of 1000-2000 amps / square centimeter.
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