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为了研究小尺寸半导体桥(Semiconductor Bridge,SCB)裸桥和涂斯蒂芬酸铅(Lead Styphnate,LTNR)时的电爆发火特性,在22μF电容放电条件下,对小尺寸磷掺杂单晶硅SCB裸桥与涂LTNR时的电爆、后期放电(Late Time Discharge,LTD)过程的能量及时间数据进行了测试和对比分析。结果表明:裸桥和涂药SCB在8 V、12 V、16 V、20 V和24 V电压下电爆能量的平均值十分接近,裸桥和涂药SCB电爆能量值与电压大小无关。随着电压的提高,裸桥和涂药SCB