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综述了国家同步辐射实验室在表面化学的同步辐射研究中的部分新进展，其中包括碱金属Ｋ和稀土金属Ｇｄ对半导体表面氧化和氮化的催化作用；ＧａＡｓ（１００）半导体表面采用ＣＨ３ＣＳＮＨ２硫钝化的新方法，稀土金属Ｇｄ在半导体表面的吸附及界面形成；一种新的氧化镁薄膜的制备方法。
NSRL在表面化学中的同步辐射研究进展
【摘 要】
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综述了国家同步辐射实验室在表面化学的同步辐射研究中的部分新进展，其中包括碱金属Ｋ和稀土金属Ｇｄ对半导体表面氧化和氮化的催化作用；ＧａＡｓ（１００）半导体表面采用ＣＨ３ＣＳＮＨ２硫钝化的新方法，稀土金属Ｇｄ在半导
【机 构】
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中国科学技术大学国家同步辐射实验室
【出 处】
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化学物理学报
【发表日期】
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1997年3期
【基金项目】
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国家自然科学基金
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