ZnO：Tb透明导电薄膜的制备及其特性研究

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【摘要】

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用RF磁控反应共溅射法在Si(111)衬底上制备出了铽 (Tb) 掺杂的ZnO透明导电薄膜.研究了溅射中Tb掺杂量对ZnO薄膜的结构、电学和光学特性的影响.结果表明,在最佳沉积条件下我们

【作者】

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方泽波朋兴平谭永胜何志巍王印月

【机构】

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兰州大学物理系

【出处】

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稀有金属

【发表日期】

：

2004年3期

【关键词】

：

ZNO RF溅射透明导电薄膜 ZnO films RF actively sputtering transparent conductive films

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用RF磁控反应共溅射法在Si(111)衬底上制备出了铽 (Tb) 掺杂的ZnO透明导电薄膜.研究了溅射中Tb掺杂量对ZnO薄膜的结构、电学和光学特性的影响.结果表明,在最佳沉积条件下我们制备出了具有良好c轴取向,电阻率降低到9.34×10-4 Ω·cm,且可见光段(400～800 nm)平均透过率大于80%的ZnO∶Tb新型透明导电材料.

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