【摘 要】
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中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心在集成电路面向7nm及以下技术代的“PostFinFET”器件研究中取得新进展。FinFET器件是当前16nm/14nm节点集成电路工艺技术的
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中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心在集成电路面向7nm及以下技术代的“PostFinFET”器件研究中取得新进展。FinFET器件是当前16nm/14nm节点集成电路工艺技术的关键架构。环栅纳米线器件具有优异的静电完整性和弹道输运特性,有望取代FinFET,应用于7nm以下节点工艺。研究人员创新性地提出了
Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences IC pilot process R & D center in the IC for 7nm and below technology generation “PostFinFET ” device made new progress. FinFET devices are the key architectures for today’s 16nm / 14nm node integrated circuit technology. Gated nanowire devices with excellent electrostatic integrity and ballistic transport characteristics, is expected to replace the FinFET, used in the following nodes 7nm process. Researchers creatively put forward
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