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用粉体制备和高温熔凝工艺在ｎ〈１１１〉型单晶硅基片上制备了非晶态ＳｉＯ２－ＺｎＯ－Ｂ２Ｏ３复合膜驻极体。实现对ＳｉＯ２薄膜驻极体的改性，恒栅压电晕充电、等温表面电位衰减及热刺激放电（ｔｈｅｒｍａｌｌｙ ｓｔｉｍｕｌａｔｅｄ ｄｉｓｃｈａｒｇｅｄ，ＴＳＤ）实验表明，Ｂ＾３＋、Ｚｎ＾２＋的掺杂对ＳｉＯ２薄膜驻极体的电荷动态特性有较大影响：ＴＳＤ放电电流峰稳定于ｔ＝２３８℃处，峰位不随充电温度和充电电压