蓝宝石衬底材料CMP去除速率的影响因素

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阐述了蓝宝石衬底应用的发展前景及加工中存在的问题,分析了蓝宝石衬底化学机械抛光过程中pH值、压力、温度、流量、抛光布等参数对去除速率的影响.提出了采用小流量快启动的方法迅速提高CMP温度,在化学作用和机械作用相匹配时(即高pH值、大流量或低pH值,小流量)可得到较高去除速率,且前者速率高于后者.实验采用nm级SiO2溶胶为磨料的碱性抛光液,使用强碱KOH作为pH调节剂,并加入了适当的表面活性剂及螯合剂等.工艺参数为压力0.18 MPa、温度45℃、转速60 r/min,采用Rodel-suba 600抛光布,在保证表面质量的同时得到的最大去除速率为11.35 μm/h.
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