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期刊论文
板级DDR3的EMI抑制
板级DDR3的EMI抑制
来源 :安全与电磁兼容 | 被引量 : 0次 | 上传用户:ccqccqccq
【摘 要】
:
某DDR3辐射超标,通过串联电阻、ODT技术等方式改善信号反射从而抑制其EMI。最终的仿真结果表明,在DDR3系统中,串联电阻减小了7%的远场能量,25%的近场能量;ODT技术减小了5%的远场能量,4
【作 者】
:
陈德恒
吴均
【机 构】
:
深圳市一博科技有限公司
【出 处】
:
安全与电磁兼容
【发表日期】
:
2016年5期
【关键词】
:
印制电路板
电磁干扰
DDR3
芯片内端接
串联电阻
PCB
EMI
DDR3
ODT
series resistance
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某DDR3辐射超标,通过串联电阻、ODT技术等方式改善信号反射从而抑制其EMI。最终的仿真结果表明,在DDR3系统中,串联电阻减小了7%的远场能量,25%的近场能量;ODT技术减小了5%的远场能量,40%的近场能量。
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