L-MBE法生长ZnO薄膜的退火研究

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【摘要】

：

研究了空气退火对于激光分子束外延（L-MBE）法制备的ZnO薄膜光学及结构特性的影响,报道了采用小角度X射线分析（GIXA）技术对于ZnO薄膜退火前后的表面及界面状况的定量分析结果.RHEE

【作者】

：

杨晓东张景文王东毕臻侯洵

【机构】

：

中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学与光子技术国家重点实验室,西安交通大学信息光子技术省重点实验室,中国科学院研究生院,河南大学物理与信息光电子学院

【出处】

：

光子学报

【发表日期】

：

2008年5期

【关键词】

：

氧化锌激光分子束外延退火光致发光在面Φ扫描小角度X射线分析 ZnO Laser molecular beam epitaxy Annealing

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研究了空气退火对于激光分子束外延（L-MBE）法制备的ZnO薄膜光学及结构特性的影响,报道了采用小角度X射线分析（GIXA）技术对于ZnO薄膜退火前后的表面及界面状况的定量分析结果.RHEED衍射图样表明,薄膜经过380℃及600℃原位退火后,其表面仍然较为粗糙.而XRD在面（in-plane）Φ扫描结果显示出经过800℃空气退火之后,薄膜具有更好的外延取向性.GIXA分析结果表明,800℃退火后ZnO薄膜的表面方均根粗糙度从退火前的1.13nm下降为0.37nm;同时ZnO/Al2O3界面粗糙度从2.1

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