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以轻质柔性聚酰亚胺（PI）材料为衬底,采用低温共蒸发＂一步法＂工艺制备四元化合物Cu（In,Ga）Se2（CIGS）薄膜。本文采用卷对卷（roll-to-roll）技术,在衬底幅宽300 mm的方向上实现了良好的成膜均匀性。利用XRD和XRF分别分析了所制备薄膜的晶相、组分和厚度,SEM分析了薄膜的表面形貌,讨论了不同衬底温度下制备的CIGS薄膜的性能。