【摘 要】
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芯片异构集成的节距不断缩小至10 μm及以下,焊料外扩、桥联成为焊料微凸点互连工艺的主要技术问题.通过对微凸点节距为8 μm的Cu/Sn固液扩散键合的工艺研究,探索精细节距焊
【机 构】
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中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,江苏,苏州,215123
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芯片异构集成的节距不断缩小至10 μm及以下,焊料外扩、桥联成为焊料微凸点互连工艺的主要技术问题.通过对微凸点节距为8 μm的Cu/Sn固液扩散键合的工艺研究,探索精细节距焊料微凸点互连工艺存在的问题,分析Cu/Sn微凸点键合界面金属间的化合物,实现了精细节距和高质量的Cu/Sn微凸点互连,获得了节距为8 μm、微凸点数为1 900个、总面积为3 mm×3 mm的不均匀微凸点阵列,该阵列互连对准误差小于0.5 μm,含有200个微凸点菊花链结构的电学导通.
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