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利用Ｄ－Ｔ模型考虑了界面位错间的相互作用，计算了外延层与衬底为不同失配，不同厚度时，应变的释放。发现由于失配产生的位错，在外延层应变释放的初期，主要是靠产生６０°位错来释放应变，而在产生较多的位错后，位错间的相互作用将导致外延层的应 过程缓慢，此时要考虑９０°位错对应变释放所造成的影响；并对已有的实验结果进行了一些解释。