【摘 要】
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采用燃烧法制备了Zn0.5Cd0.5S/Ag半导体材料.利用X-射线粉末衍射仪（XRD）,扫描电子显微镜（SEM）,荧光分光光度计（PL）以及紫外-可见分光光度计（UV-vis）对所制备得到的样品进行了表征.研
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采用燃烧法制备了Zn0.5Cd0.5S/Ag半导体材料.利用X-射线粉末衍射仪（XRD）,扫描电子显微镜（SEM）,荧光分光光度计（PL）以及紫外-可见分光光度计（UV-vis）对所制备得到的样品进行了表征.研究了Ag的掺杂量对Zn0.5Cd0.5S/Ag半导体材料的结构、形貌、发光性能和光催化效果的影响.结果表明,Ag的掺杂量对样品的形貌基本没有影响,但是对样品的结构、发光性能以和光催化效果有着显著地影响.研究表明：随着Ag掺杂量的增加,半导体材料中出现了AgS杂相;另外,样品的发光强度逐渐降低;而当A
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