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碲锌镉(CdZnTe)作为一种重要的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体,因其具备优异的光电性能,成为制备室温辐射探测器的理想材料。但生长态的CdZnTe晶体中不可避免地会引入Cd空位、沉淀/夹杂相、杂质和位错等缺陷,严重影响了所制备器件的质量和光电性能。因此,需对生长态晶体进行退火改性处理以提高晶体的质量。本文分析了CdZnTe材料中存在的主要缺陷,重点综述了退火改性工艺如退火温度、退火时间、退火气氛以及退火方式对CdZnTe晶体质量及探测器性能的影响。