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罗门哈斯电子材料公司CMP技术事业部近日推出了一种新型铜阻挡层化学机械研磨液，专门设计用来帮助用户处理90nm和65nm技术节点下低介电质（Low K）整合方案中的化学机械平坦化问题。新型LK393c4铜阻挡层化学机械研磨液是在晶圆制造厂商的密切配合下开发而成的，与现有的其它化学机械研磨液配方相比，其选择比和研磨速率可帮助用户把芯片产量提升同时降低拥有成本25％到30％。