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在（ＢｉＰｂ）２Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏ１０＋δ／ｎａｎｏ－ＳｉＣ复合材料中，纳米ＳｉＣ粒子掺加适量时可在５Ｋ的低温下有效地钉所磁通，并在７７Ｋ的较高运行温度下仍能抑制超导体的热激活磁通蠕动，成为有效的磁通钉扎中心，但对临界转变温度无多大影响。
纳米SiC粒子对（BiPb）2Sr2Ca2Cu3O10＋δ超导体磁通钉扎性能的增强
【摘 要】
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在（ＢｉＰｂ）２Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏ１０＋δ／ｎａｎｏ－ＳｉＣ复合材料中，纳米ＳｉＣ粒子掺加适量时可在５Ｋ的低温下有效地钉所磁通，并在７７Ｋ的较高运行温度下仍能抑制超导体的热激活磁通蠕动，成为有效的磁通钉扎中心，但对临界转变温度无多大影响。
【机 构】
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中国科学院金属研究所
【出 处】
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金属学报
【发表日期】
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1998年9期
【基金项目】
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国家超导研究与发展中心资助,,辽宁省科学技术基金!972072
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