808 nm半导体激光芯片波导优化与效率特性分析

来源 :发光学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：jingliang3334

【摘要】

：

对808 nm的InAlGaAs/AlGaAs半导体激光器芯片的波导厚度进行了优化,研究发现N波导与P波导厚度比值为1.8时芯片电光转换效率最高。基于上述高效率芯片研制出Chip-on-submount(COS)单管和光纤芯径62.5μm、数值孔径0.22的光纤耦合模块,并研究了两种器件在-10~90℃范围内的效率特性。结果显示,温度由-10℃升高到90℃,COS单管的载流子泄漏占比由1.18%增加到16.67%,光纤耦合模块的载流子泄漏占比由1.99%增加到17.73%,表明温升引起的载流子泄漏加剧是导

【作者】

：

常奕栋王贞福张晓颖杨国文李特杜宇琦赵宇亮刘育衔兰宇

【机构】

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中国科学院大学,中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学与光子技术国家重点实验室,陕西省计量科学研究院

【出处】

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发光学报

【发表日期】

：

2021年7期

【关键词】

：

半导体激光器光纤耦合模块光功率电光转换效率

【基金项目】

：

国家自然科学基金(61504167),陕西省自然科学基金(2019ZY-CXPT-03-05,2018JM6010,2015JQ6263),陕西省科技厅人才项目(2017KJXX-72)资助。

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