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本文从应用角度综合评述了国外近年来砷化镓集成电路、器件和单晶材料领域的进展概况以及目前存在的主要问题，并预测了今后的发展趋势。
砷化镓（GaAs）半导体器件,单晶的现状及发展动向
【摘 要】
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本文从应用角度综合评述了国外近年来砷化镓集成电路、器件和单晶材料领域的进展概况以及目前存在的主要问题，并预测了今后的发展趋势。
【机 构】
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电子部第４６研究所
【出 处】
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半导体杂志
【发表日期】
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1994年4期
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