降栅压技术在MOSFET驱动中的应用

来源 :电力系统及其自动化学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：intint

【摘要】

：

为在短路发生时有效保护金属氧化物半导体场效应管（metal oxide semiconductor field effect transistor），在60V／10A固态功率控制器的驱动电路中，设计降栅压短路保护。通过与MOSFE

【作者】

：

杨冬平王莉江登宇

【机构】

：

南京航空航天大学自动化学院

【出处】

：

电力系统及其自动化学报

【发表日期】

：

2010年1期

【关键词】

：

金属氧化物半导体场效应管降栅压固态功率控制器短路保护驱动电路 MOSFET（metal oxide semiconductor field effect

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为在短路发生时有效保护金属氧化物半导体场效应管（metal oxide semiconductor field effect transistor），在60V／10A固态功率控制器的驱动电路中，设计降栅压短路保护。通过与MOSFET反串的二极管检测短路故障，一旦发生短路，启动短路保护电路，快速降低MOSFET栅源极电压至其开启电压附近，以增大MOSFET漏源极电阻并使其可控，设计电容放电时间，即可按一定速度关断功率管。仿真和实验结果表明，降栅压短路保护技术能在短路发生时迅速关断MOSFET并在关断过程中起

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