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通过对碲镉汞材料进行Ａｓ＾＋注入以及退火，成功地制备Ｐ－ｏｎ－Ｎ型光伏器件。器件的截止波长为５．５μｍ，黑体探测率Ｄ＾＊（５００Ｋ，１Ｋ，１００）可达２．１×１０＾１０ｃｍＨｚ＾１／２Ｗ＾－１。通过对器件的变温电流－电压关系的测量，利用等效电路进行拟合后，我们发现，限制器件优质因子ＲｏＡ的主要因素是并联电阻。估计此并联电阻可能由表面漏电和体缺陷引起。