MOS场引晶体管双极理论和实验

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【摘要】

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提出场引晶体管双极理论.替代已55年久，1952 Shockley发明单极理论.解释近来双栅纳米硅MOS晶体管实验特性——两条电子和两条空穴表面沟道，同时并存.理算晶体管输出特性和转移

【作者】

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薩支唐揭斌斌

【机构】

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中国科学院外籍院士,佛罗里达大学,北京大学

【出处】

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半导体学报

【发表日期】

：

2007年10期

【关键词】

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单场引FET理论双场引FET理论 MOSFET 同时存在空穴电子表面沟道和体积沟道双栅纯基FET理论 unipolar FET theory bipol

【基金项目】

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CTSAH Associates（CTSA）资助项目（CTSA由已故的薩夫人张淑南女士创建）薩支唐写成此摘要基于揭斌斌的现代语初稿.感谢潘胜和北京大学原物理系教师赵立群和潘桂明的修改建议.Acknowledgments The authors thank many veteran colleagues for encouragements and technical supports. They

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提出场引晶体管双极理论.替代已55年久，1952 Shockley发明单极理论.解释近来双栅纳米硅MOS晶体管实验特性——两条电子和两条空穴表面沟道，同时并存.理算晶体管输出特性和转移特性，包括实用硅基及栅氧化层厚度.理算比较最近报道实验，利用硅FinFET，含（金属/硅）和（p/n）结，源和漏接触.实验支持双极理论.建议采用单管，实现CMOS倒相电路和SRAM存储电路.

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