【摘 要】
：
本文用反应生成和合金靶溅射两种方法生成了TiSi_2薄膜,并对其形成特性进行了研究,同时将所形成的TiSi_(?)薄膜应用于MOSFET和MOS电容的制作中.结合电学性反的测量和TEM(横截
【机 构】
：
北京大学微电子学研究所,中国科学院微电子中心,北京市有色金属研究总院
论文部分内容阅读
本文用反应生成和合金靶溅射两种方法生成了TiSi_2薄膜,并对其形成特性进行了研究,同时将所形成的TiSi_(?)薄膜应用于MOSFET和MOS电容的制作中.结合电学性反的测量和TEM(横截面)在位观察,研究了TiSi_2/多晶硅复合栅结构的特性,发现当多晶硅厚度小于某一临界值时,经高温炉退火后,SiO_2/Si界面将会产生许多新的界面在,SiO_(?)层中会产生缺陷.对离于注入和热扩散掺杂的两种样品,多晶硅层厚度的这个临界值几乎是相同的.根据我们的实验和分析结果,证实了在TiSi_2薄膜的形成过程中所引
其他文献
本文报道用低压金属有机化合物汽相外延(LP-MOVPE) 的方法生长了晶格匹配的Ga_(1-x)In_4As/InP 量子阱结构材料.X光双晶衍射和透射电子显微镜测量表明多量子阱结构的周期性和
摩根士丹利全球首席经济师史蒂芬·罗奇近日发表报告称，中国已经向全世界发出了一个重要信息：就是其经济发展模式将出现一个关键性的调整——从出口和投资主导模式向私人消
很多时候，你读一本书并没有什么特别的理由，比如这本《世界又热又平又挤》。作者弗里德曼于2005年发表《世界是平的》一书后，获得国际声誉。近三年来，几乎他所有的论述、演讲、访
在我国，企业并购的动机有很多，这主要包括追求规模经济效益动机、追求多元化经营动机、维护企业竞争势力动机．政府动机以及“买壳上市”动机等。同时，我国现阶段企业并购主要存在
用俄歇电子能谱(AES)对等离子增强化学汽相淀积(PECVD)氢化非晶碳化硅(a-SiC∶H)薄膜进行了组分的深度剖析、半定量分析以及化学分析.俄歇深度剖析曲线表明PECVD淀积的薄膜均
已经发现短沟道CaAs MESFET(栅长短于1μm)的器件参数与栅长有关,随着栅长的缩短,出现速度峰的电场E_p和速度峰V_p的数值要单调增加,这是由于短沟道器件中出现非平衡速度过冲
前言脑中微环路的研究，是介于还原到神经元、综合到心理与行为两个层次问的大问题。简单的定义，就是研究神经元相互之间是什么关系，几十个到几千个神经元作为整体是怎样运作的，并
研制了基于波长扫描法的光纤偏振模测试系统,介绍了其完善的硬件系统和软件系统,并对其测试结果进行了具体分析.
1病例介绍患者男，52岁，因“突发行走不稳，嗜睡1小时”入院。患者于晨5时起床后，家人发现其行走不稳，反应迟钝，扶其回床休息即出现嗜睡，一小时后送医院。查体：BP130／80mmHg，嗜睡，呼吸平稳
中共山西省省委书记田成平日前强调,建设新型能源和工业基地,是相对于山西历史上形成的"能源基地"和"老工业基地"而言的,是在过去基础上的发展和创新,赋予了老基地以新的时代