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采用直流磁控溅射的方法，在NaCl基底上沉积了Ni-Mn-Ga薄膜，对薄膜进行了形貌观察、微区成分及结构分析，并测量了薄膜的磁致应变。结果表明，薄膜表面可见大小不一的团簇颗粒，具有明显的岛状结构，表明Ni-Mn-Ga薄膜的形成为典型的核生长型机制。热处理前的薄膜具有部分非晶存在，热处理后薄膜晶化为多晶形态。无约束薄膜在磁场下呈现负的磁致应变，在1．3T磁场下，其最大应变值可达-0．008％，并且可以完全恢复。