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采用TO220封装的电子元件，研究了在温度循环条件下，元件Cu引脚上纯Sn镀层的Sn须生长行为。研究发现，Sn须在温度循环条件下的生长呈现出较高速率、较高密度、较一致长度的特点。随着温度循环次数的增加，Sn须密度和长度不断增加；与此同时，镀层表面Sn须的附近区域出现凹坑。研究表明，Cu-Sn金属间化合物的生长速率很快，使得镀层内部压应力增大，Sn须生长驱动力增加；同时，不同材料热失配产生的低周疲劳热应力，为Sn须的生长提供了额外的驱动力。此外，交变的热应力更容易破坏表面氧化膜促进Sn须的生长。满足应力条件