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本文观察了微型磁阻（Ｍａｇｎｅｔｏ—ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）薄膜传感元件在难轴方向反磁化时曲折状磁畴的非一致转动过程，具体分析了传感器中产生Ｂａｒｋｈａｕｓｅｎ跳跃和噪声的根源，特别注意了畴壁极性的不可逆转变过程及元件的引线结构对微磁结构的影响。
磁阻（MR）薄膜传感器微磁结构的观察和研究
【摘 要】
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本文观察了微型磁阻（Ｍａｇｎｅｔｏ—ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）薄膜传感元件在难轴方向反磁化时曲折状磁畴的非一致转动过程，具体分析了传感器中产生Ｂａｒｋｈａｕｓｅｎ跳跃和噪声的根源，特别注意了畴壁极性的不可逆转变过程及元件的引线
【机 构】
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上海交通大学
【出 处】
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仪器仪表学报
【发表日期】
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1996年S1期
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