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利用企业的电子陶瓷工艺制备了CeO掺杂Bi0.5（Na1-x-yLixKy）0.5TiO3无铅压电陶瓷，并研究了CeO2掺杂对该体系陶瓷的介电压电性能与微观结构的影响。X-射线衍射结果表明，掺杂的CeO2扩散进入了Bi0.5（Na1-x-yLixKy）0.5TiO3钙钛矿结构的晶格；SEM观察结果表明，少量的CeO2掺杂可改进该陶瓷的微结构；介电压电性能研究结果表明，CeO2掺杂对该陶瓷体系的综合性能有较大改善，室温下该体系配方的压电常数d33可达199pC／N，径向机电耦合系数kp达39．3％，同时降低