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分别以Cd（NO3）2和（NH2）2 CS作为镉源和硫源，用化学沉积法（CBD）在ITO玻璃上生长CdS半导体纳米薄膜．考察了Cd^2＋浓度、沉积温度、沉积时间和后处理温度对CdS成膜的影响．紫外-可见吸收谱和原子力显微镜结果表明，改变溶液浓度和后处理温度都能有效调节CdS的吸收带边，得到均一致密的CdS纳米薄膜．探讨了膜形成机理，给出了成核过程模型，进一步修正了传统成膜机制．认为ITO玻璃基片表面活性位和晶核的形成是均一致密CdS纳米膜形成的关键．晶核的形成是申。学、热学、力学和化学等因素其同作用的结果