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据《Semiconductor FPD World》2007年第10期报道，日本新日铁公司在计算机模拟技术的基础上，开发了坩锅晶体生产时可控温度分布和升华蒸气物质转移的工艺，使100mm的SiC晶圆大幅度降低微管缺陷密度，其微管分布仅为0．03个／cm^2，是业界最好水平。目前，
新日铁成功研制低缺陷的100mm SiC晶圆
【摘 要】
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据《Semiconductor FPD World》2007年第10期报道，日本新日铁公司在计算机模拟技术的基础上，开发了坩锅晶体生产时可控温度分布和升华蒸气物质转移的工艺，使100mm的SiC晶圆大幅
【机 构】
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《集成电路通讯》编辑部（摘）
【出 处】
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集成电路通讯
【发表日期】
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2008年2期
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