【摘 要】
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采用皮秒量级的超快速光谱技术，分析了混晶ＧａＡｓ１－ｘＰｘ∶Ｎ材料发光瞬态过程．结果证实了材料随组份变化，从间接带到直接带（ｘｃ＝０．４５Ｋ，７７Ｋ）转变的带增强效应．对ＮＸ发光带不同能量位置的发光衰退测量还表明ＮＸ带同时存
【机 构】
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厦门大学物理学系,中山大学超快速激光光谱学国家重点实验室
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采用皮秒量级的超快速光谱技术，分析了混晶ＧａＡｓ１－ｘＰｘ∶Ｎ材料发光瞬态过程．结果证实了材料随组份变化，从间接带到直接带（ｘｃ＝０．４５Ｋ，７７Ｋ）转变的带增强效应．对ＮＸ发光带不同能量位置的发光衰退测量还表明ＮＸ带同时存在着快速的带内隧穿转移和较慢的发光衰退过程
The super fast spectroscopic technique with picosecond order of magnitude was used to analyze the transient process of the mixed GaAs1-xPx: N material. The results confirm that the material changes with composition, with a band-enhancing effect of transition from indirect band to direct band (xc = 0.45K, 77K). The measurement of luminescence decay at different energy positions of the NX luminous band also shows that the NX band simultaneously has the rapid in-band tunneling transition and the slower luminescence decay process
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