【摘 要】
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在聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）柔性衬底上采用直流磁控溅射技术制备了氧化铟锡（ITO）透明导电薄膜，研究了衬底温度、溅射功率和溅射压强等工艺条件对薄膜光电性能的影响，并利用原子力
【机 构】
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电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室
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在聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）柔性衬底上采用直流磁控溅射技术制备了氧化铟锡（ITO）透明导电薄膜，研究了衬底温度、溅射功率和溅射压强等工艺条件对薄膜光电性能的影响，并利用原子力显微镜（AFM）表征了衬底及1TO薄膜的表面形貌。结果表明，在PET衬底温度50℃、溅射功率100W和溅射压强2．66×10^-1Pa的条件下，可以得到低方阻（50Ω/ ）和高透过率（〉90％）的透明导电薄膜。以此柔性ITO衬底为阳极，制备了结构为PET／ITO／NPB／Alq3／Mg：Ag的柔性有机电致发光器件，在驱动
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