Ⅲ-V族半导体纳米材料的制备与尺寸控制

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论述了Ⅲ-V族半导体纳米材料的制备与尺寸控制,其制备法分为物理法和化学法。物理法包括离子注入法、溅射法和激光烧蚀法,化学法包括高温有机液相合成法、有机溶剂热法、水热法和溶胶-凝胶法等。其中高温有机液相合成法较易制备尺寸均一、稳定的半导体纳米晶,有机溶剂热法、水热法和溶胶-凝胶法设备简单、反应条件温和,具有广阔的应用前景。 The preparation and size control of III-V semiconductor nanomaterials are discussed. The preparation methods are divided into physical and chemical methods. Physical methods include ion implantation, sputtering and laser ablation. Chemical methods include high temperature organic liquid phase synthesis, organic solvent heating, hydrothermal and sol-gel processes. The high temperature organic liquid phase synthesis method is easy to prepare uniform size and stable semiconductor nanocrystals. The organic solvent heating method, the hydrothermal method and the sol-gel method are simple and the reaction conditions are mild, and have broad application prospects.
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