【摘 要】
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在局域密度近似下,采用平面波超软赝势法对SiC多型体的能带和光谱特性进行了研究.计算了4种SiC多型体的能带、介电常数等并进行了比较.计算表明:4H-SiC导带最低点在布里渊区M
【机 构】
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西安交通大学材料学院,西北轻工业学院自控系
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在局域密度近似下,采用平面波超软赝势法对SiC多型体的能带和光谱特性进行了研究.计算了4种SiC多型体的能带、介电常数等并进行了比较.计算表明:4H-SiC导带最低点在布里渊区M点,6H-SiC导带最低点在布里渊区ML线上U(0,0.176,0)(2π/a)点.在布氏区垂直于Z轴方向的AH和LH段能带是二重简并的.能带得介电常数的计算表明SiC是各向异性材料.局域密度近似下的密度泛函理论对能隙的计算结果小于实验结果.
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