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ZnO的激子束缚能高达60meV，具有优良的光学性质。因此，Mn掺杂的ZnO材料研究在磁性半导体领域广泛开展起来。文章采用溶胶-凝胶法制备了Mn掺杂的ZnO纳米晶，讨论了在不同退火温度下纳米晶的结构和磁性。XRD结果显示，所有样品均为六角纤锌矿结构。退火后，Mn掺杂ZnO纳米晶的晶格常数均略大于纯净ZnO的晶格常数，表明Mn^2＋已经替代Zn^2＋进入ZnO晶格。500℃退火的样品在4-300K温度范围内表现为顺磁性。将退火温度提高到900℃后，有少量尖晶石结构的ZnMnzO4存在。室温磁滞回线表明样品具