【摘 要】
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本文叙述了硅脉冲功率晶体管的设计制造,采用了动态镇流、钳位二极管、内匹配等技术。器件在f_0=1.85～2.15GHz,D=2％,τ_p=40μs条件下,输出功率P_0≥100W,功率增益G_p≥7dB,集
【机 构】
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南京电子器件研究所,南京电子器件研究所,南京电子器件研究所,南京电子器件研究所
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本文叙述了硅脉冲功率晶体管的设计制造,采用了动态镇流、钳位二极管、内匹配等技术。器件在f_0=1.85～2.15GHz,D=2％,τ_p=40μs条件下,输出功率P_0≥100W,功率增益G_p≥7dB,集电极效率η_0≥40％,并具有较高的抗激励耐量。在f_0=2.15GHz, τ_p=40μs,D=2％,P_i=25W,V_cc=36V时,P_0≥120W;当V_cc=40V时P_0≥153W。
This article describes the design and manufacture of silicon pulse power transistor, using a dynamic ballast, clamp diodes, internal matching and other technologies. Under the condition of f_0 = 1.85 ~ 2.15GHz, D = 2% and τ_p = 40μs, the output power P_0≥100W, the power gain G_p≥7dB, the collector efficiency η_0≥40%, and the device has high resistance to excitation. P_0≥120W when f_0 = 2.15GHz, τ_p = 40μs, D = 2%, P_i = 25W and V_cc = 36V; P_0≥153W when V_cc = 40V.
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