高温高压快速制备高导热PcBN陶瓷

来源 :真空电子技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:visualstudio2003
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高导热聚晶立方氮化硼(PcBN)是制备散热基板的理想陶瓷材料,但是常规烧结方法难以制备出高致密度的PcBN陶瓷.本文以Al-Si为结合剂,采用高温高压快速制备PcBN陶瓷复合材料,并研究不同Al-Si比例对PcBN陶瓷热导率的影响.研究发现,少量Si的加入有利于PcBN致密度的提高,随着Si含量的增加,立方氮化硼烧结体的热导率先增加后下降.Al-Si比例为7:3时的PcBN的热导率最高,达到88.01 W/m·K,比纯Al结合剂的PcBN陶瓷提升了 12.33%.
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