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根据载流子分布曲线近似，通过求解泊松方程，对多晶硅中的量子效应进行建摸，得出了一个基于物理的解析模型，该模型仅仅通过两个拟合参数可以将多个分散的状态模型简化为一个统一的模型．利用该模型对阈值电压进行了计算，其结果与数值模拟结果相吻合，证明了该模型的正确性和准确性．
MOS器件多晶硅栅量子效应的解析模型
【摘 要】
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根据载流子分布曲线近似，通过求解泊松方程，对多晶硅中的量子效应进行建摸，得出了一个基于物理的解析模型，该模型仅仅通过两个拟合参数可以将多个分散的状态模型简化为一个统一的
【机 构】
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安徽大学电子科学与技术学院
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2005年11期
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