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由聚硅氧烷裂解制备出Si-O-C陶瓷，其电阻率为2220Ω·cm。在聚硅氧烷中添加Al和MoSi2可以制备出低电阻率的Al／Si-O-C和MoSi2／Si-O-C陶瓷。制备温度对材料电阻率有很大的影响。
聚硅氧烷转化Si-O-C陶瓷的电阻率
【摘 要】
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由聚硅氧烷裂解制备出Si-O-C陶瓷，其电阻率为2220Ω·cm。在聚硅氧烷中添加Al和MoSi2可以制备出低电阻率的Al／Si-O-C和MoSi2／Si-O-C陶瓷。制备温度对材料电阻率有很大的影响
【机 构】
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国防科技大学新型陶瓷纤维及其复合材料国防科技重点实验室
【出 处】
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稀有金属材料与工程
【发表日期】
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2007年A01期
【基金项目】
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国防预研项目资助
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