高密度数据存储新方法

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【摘要】

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Hewlett Packard(HP)公司的科学家采用在一层薄的铟-硒(InSe)材料中产生微小的非晶区的方法来生成单个的比特．这层材料与下面的镓-硒层和一片硅基片形成一个pn结二极管的主要

【作者】

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树华

【出处】

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物理

【发表日期】

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2005年4期

【关键词】

：

数据存储高密度 PN结二极管循环过程电子柬 INS 高功率硅基片非晶区科学家低功率脉冲材料斑点玻璃

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Hewlett Packard(HP)公司的科学家采用在一层薄的铟-硒(InSe)材料中产生微小的非晶区的方法来生成单个的比特．这层材料与下面的镓-硒层和一片硅基片形成一个pn结二极管的主要部分．读写循环过程如下：写“1”是用短的高功率电子柬脉冲熔化一微小部分InSe层，使之变成一个玻璃样的斑点．这个玻璃样的斑点可以用一长的低功率电子柬脉冲来重新结晶，

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