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采用传统陶瓷工艺制备了BiVO4掺杂的CaO-Li2O-Sim2O2-TiO2（CLST）介质陶瓷，用X-射线衍射仪、扫描电镜及电感-电容-电阻测试仪等对其烧结特性、相结构及介电性能进行了系统研究。结果表明，BiVO4掺杂能显著降低CLST陶瓷的烧结温度，由1300℃降至1200℃。BiVO4掺杂量为1％，烧结温度为1200℃时，CLST陶瓷具有较好的综合介电性能．εr=88，tanδ=0.018，τf=-30×10^-6／℃。