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本文探索了一种能用于大规模 MOS 集成电路的栅氧化技术—补充后的两步 TCE法。笔者采用该法,在一般工厂的工艺条件下,制得了90%以上的 MOS 电容,击穿电场大于6MV/cm,可动电荷密度约为10~(10)cm~(-2),固定电荷密度约为10~(11)cm~(-2)的优质超薄氧化层。
超大规模集成电路的栅氧化技术
【摘 要】
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本文探索了一种能用于大规模 MOS 集成电路的栅氧化技术—补充后的两步 TCE法。笔者采用该法,在一般工厂的工艺条件下,制得了90%以上的 MOS 电容,击穿电场大于6MV/cm,可动电
【机 构】
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电子科技大学微电子科学与工程系,电子科技大学微电子科学与工程系
【出 处】
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电子科技大学学报
【发表日期】
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1990年1期
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