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ZPYSCC-nSiO2复合压敏电阻性能研究
ZPYSCC-nSiO2复合压敏电阻性能研究
来源 :机电信息 | 被引量 : 0次 | 上传用户:li_qinglong
【摘 要】
:
在烧结温度为1100℃条件下,研究了SiO2掺杂浓度对ZPYSCC-nSiO2复合压敏电阻物相和压敏性能的影响。实验结果表明:随着SiO2掺杂浓度增大,三强峰的衍射角逐渐减小;当SiO2掺杂浓
【作 者】
:
陈永佳
【机 构】
:
陕西国防工业职业技术学院
【出 处】
:
机电信息
【发表日期】
:
2020年26期
【关键词】
:
复合压敏电阻
SiO2掺杂
微观结构
压敏性能
【基金项目】
:
陕西省教育厅2018年度专项科学研究计划项目资助“掺杂粒子对ZnO基避雷器压敏性能的影响规律研究”(18JK0068).
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在烧结温度为1100℃条件下,研究了SiO2掺杂浓度对ZPYSCC-nSiO2复合压敏电阻物相和压敏性能的影响。实验结果表明:随着SiO2掺杂浓度增大,三强峰的衍射角逐渐减小;当SiO2掺杂浓度为0.01 mol时,非线性系数达到最大值68,此时压敏电压约为370 V/mm。
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