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半导体行业是一个基础性行业,同时在每个领域所占的比重也越来越高。Er掺杂的GaN材料器件,既具备稀土元素的性能,又充分发挥了半导体材料的优势。本文简要介绍了稀土Er掺杂GaN材料的制备方法,以及目前有关该材料及器件在光学性能方面的研究进展,并对其发展趋势进行了展望。
GaN∶Er材料研究进展
【摘 要】
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半导体行业是一个基础性行业,同时在每个领域所占的比重也越来越高。Er掺杂的GaN材料器件,既具备稀土元素的性能,又充分发挥了半导体材料的优势。本文简要介绍了稀土Er掺杂Ga
【机 构】
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苏州科技学院物理系,中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
【出 处】
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硅酸盐通报
【发表日期】
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2015年S1期
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