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低压(LPCVD)和等离子体增强(PECVD)化学汽相淀积的新发展,目的在于使材料和制造技术满足小尺寸和表面形状复杂的VLSI电路提出的要求。用一种典型的新型CMOS结构作为一种参考系统,评价了LPCVD和PECVD工艺及设备发展的新趋势。
LPCVD和PECVD的新趋势
【摘 要】
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低压(LPCVD)和等离子体增强(PECVD)化学汽相淀积的新发展,目的在于使材料和制造技术满足小尺寸和表面形状复杂的VLSI电路提出的要求。用一种典型的新型CMOS结构作为一种参考
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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1988年05期
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