片上多通道低电容系统级静电防护电路设计

来源 :电子元件与材料 | 被引量 : 0次 | 上传用户：mmghb

【摘要】

：

为提高Type-C接口的静电防护性能,提出了基于导流二极管与栅极耦合结构的静电防护架构,用于接口的低压、高压端口。采用齐纳二极管辅助触发的栅极耦合结构(ZCNMOS)泄放静电放电(ESD)大电流,降低触发电压,消除栅接地的NMOS(GGNMOS)中叉指器件不均匀导通的现象;通过大角度离子注入技术,提高器件的ESD防护能力;同时对导流二极管版图进行优化,提高了PN结的周长面积比,减小寄生电容。测试结果表明,器件过流能力由4 mA/μm提高到10 mA/μm,提升了1.5倍;低压端口和高压端口的二次失效电流均

【作者】

：

许建蓉汪西虎刘伟李晶

【机构】

：

西安邮电大学电子工程学院

【出处】

：

电子元件与材料

【发表日期】

：

2021年9期

【关键词】

：

系统级ESD ZCNMOS 导流二极管低电容 TLP测试

【基金项目】

：

陕西省自然科学基础研究计划项目资助(2020JM-583)。

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