【摘 要】
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采用电子束蒸发法在玻璃基底上制备了二氧化硅薄膜,利用原子力显微镜（AFM）、台阶仪、X射线衍射仪（XRD）,分别对不同条件下制备的二氧化硅薄膜的表面形貌、膜厚、结构进行了表征,并
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采用电子束蒸发法在玻璃基底上制备了二氧化硅薄膜,利用原子力显微镜（AFM）、台阶仪、X射线衍射仪（XRD）,分别对不同条件下制备的二氧化硅薄膜的表面形貌、膜厚、结构进行了表征,并采用金属/绝缘膜/金属（MIM）结构对薄膜的I-V电学特性进行了分析。结果表明玻璃基底温度在300℃条件下生长的4μm厚度的二氧化硅薄膜,其表面均匀平整,耐压能力〉200V,能够承受500kV/cm以上的场强,满足作为低电压驱动微流控芯片绝缘薄膜的要求,并在样品驱动的应用中得到验证。
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