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采用分子束外延方法在GaAs衬底（001）上生长了AlAs／GaAs双势垒超晶格薄膜结构。测试出超晶格薄膜在室温下随着外加压力变化下，其I-V特性曲线的漂移与外加压力成一定比例关系。为基于MEMS共振隧穿效应的力电耦合传感器的研究提供了一定的基础。
一种新型力电耦合超晶格半导体结构研究
【摘 要】
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采用分子束外延方法在GaAs衬底（001）上生长了AlAs／GaAs双势垒超晶格薄膜结构。测试出超晶格薄膜在室温下随着外加压力变化下，其I-V特性曲线的漂移与外加压力成一定比例关系。为基
【机 构】
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北京理工大学机电工程学院,中北大学电子测试技术国家重点实验室
【出 处】
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兵工学报
【发表日期】
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2007年2期
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