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设计了一种0.35um沟长的LDD PMOS器件,并用Medici软件进行数值仿真,找到一种简单有效的描述器件伏安特性的数值算法,给出相应的数学表达式,并利用这些表达式计算亚微米CMOS反相器的电压传输特性,计算结果与理论分析符合较好。
CMOS反相器电压传输特性的数值计算
【摘 要】
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设计了一种0.35um沟长的LDD PMOS器件,并用Medici软件进行数值仿真,找到一种简单有效的描述器件伏安特性的数值算法,给出相应的数学表达式,并利用这些表达式计算亚微米CMOS反
【机 构】
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国家电网濉溪县供电公司
【出 处】
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电脑知识与技术
【发表日期】
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2015年8X期
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